1β dram 文章 進入1β dram技術社區(qū)
HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升
- TrendForce指出，隨著AI服務器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
- 關鍵字： HBM DRAM TrendForce
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算
- 三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1] DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個領域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統(tǒng)應用領域之外的應用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
- 關鍵字： 三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計算
TrendForce：內(nèi)存下半年價格恐摔
- 根據(jù)TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機，出現(xiàn)整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導致以消費型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內(nèi)存市場正遭遇嚴峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
- 關鍵字： TrendForce 內(nèi)存 DRAM
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開始供應產(chǎn)品，引領半導體存儲器市場發(fā)展?！惫疽?b DRAM
- 關鍵字： SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預期第三季合約價將上調
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴張帶動多數(shù)業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收達229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價漲幅將高于先前預期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續(xù)第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
- 關鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢
imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
- 關鍵字： imec High-NA EUV DRAM
外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息，隨著移動設備功能的不斷增強，對內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術，將LPDDR5X的厚度
- 關鍵字： 三星 手機芯片 LPDDR5X DRAM
HBM排擠效應 DRAM漲勢可期
- 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
- 關鍵字： HBM DRAM 美光
圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力
- 圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力2024年7月8日至10日，西安紫光國芯半導體股份有限公司（簡稱：紫光國芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等重點領域，為客戶提供全方面的存儲產(chǎn)品及相關技術解決方案。展會現(xiàn)場重點展示了DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術和CXL技術、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
- 關鍵字： 紫光國芯 慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL
服務器支撐下半年需求，預估DRAM價格第三季漲幅達8-13%
- 根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，由于通用型服務器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產(chǎn)比重進一步拉高，使供應商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。DRAM價格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補庫存意愿漸趨保守，供應商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進入生產(chǎn)旺季，因此預計智能手機
- 關鍵字： 服務器 DRAM TrendForce
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
- 關鍵字： SK海力士 3D DRAM
云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展，帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%
- 全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢觀察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商，將仍為采購高階主打訓練用AI server的主力客群，以作為LLM及AI建?；A。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓練用server基礎設施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發(fā)展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務等各領域應用落地。此外，因AI PC或NB在計算機設備基本架構組成與
- 關鍵字： 云端 CSPs 邊緣AI DRAM TrendForce
HBM供應吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲
- 內(nèi)存大廠美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應緊張、價格進一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
- 關鍵字： HBM DRAM 美光
美光后里廠火災 公司聲明營運未受任何影響
- 中國臺灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點34分發(fā)生火警，火勢快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺中廠火警廠區(qū)營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報，中國臺灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災，消防局抵達時廠區(qū)人員已將火勢撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟日報報導，美光針對臺中廠火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區(qū)營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達96％。美光高達65％的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，
- 關鍵字： 美光 DRAM
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